La empresa coreana Samsung ha anunciado que ahora es capaz de producir a escala masiva memorias de almacenamiento en flash para móviles de 256 GB de capacidad, siguiendo el estándar UFS 2.0 (Universal Flash Storage, Almacenamiento en Flash Universal) con el fin de que sean implementados en la siguiente generación de smartphones.
Samsung dice que estas memorias duplican la velocidad de las unidades de almacenamiento en flash SATA que se utilizan en la computación; estas memorias esperan satisfacer la necesidad velocidades ultra rápidas así como grandes capacidades de almacenamiento en un tamaño pequeño para teléfonos de gama alta. Estas nuevas memorias utilizan la más reciente tecnología V-NAND y ofrecen 45 mil y 40 mil operaciones de entrada y salida por segundo (input/output operations per second, IOPS en inglés), comparado con los 19 mil y 14 mil IOPS de la generación pasada.
Las memorias usan dos canales que le permiten transmitir datos a velocidades de hasta 850 Megabytes por segundo, tres veces más veloz que las actuales tarjetas de memoria microSD que tiene una velocidad de 260 MB/S. Las memorias de 256 GB de Samsung permitirán reproducir video 4K sin problema alguno, es más, podemos ver estos videos en pantalla dividida mientras navegamos la web o hacemos cualquier otra tarea.
Samsung remarca que estas memorias son más pequeñas que una tarjeta microSD, por lo cual permitirá aprovechar mejor el espacio a los diseñadores de equipos móviles.
Con información de Samsung Newsroom.